几天不见怎么这么湿，没过几天就湿成那样了p>

　　大(dà)家好(hǎo)，来(lái)看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐几天不见怎么这么湿，没过几天就湿成那样了患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至几天不见怎么这么湿，没过几天就湿成那样了1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

未经允许不得转载：太仓网站建设,太仓网络公司,太仓网站制作,太仓网页设计,网站推广-昆山云度信息科技有限公司 几天不见怎么这么湿，没过几天就湿成那样了