大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存六朝是指哪六朝）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大(dà)、六朝是指哪六朝第二大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等(d六朝是指哪六朝ěng)相关(guān)公司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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