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我想说世间万物一切都不及你是什么歌,满天星辰不及你歌词 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

  据网信(xìn)办消息(xī),日前,网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

  审查发现,美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患,对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn),影响我国国家安全。为此,网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规,我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查,目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全,是维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求,欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文称我想说世间万物一切都不及你是什么歌,满天星辰不及你歌词,为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán),防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn),维护国(guó)家(jiā)安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

  半(bàn)导体突发!中国(guó)出(chū)手:停(tíng)止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前高峰(fēng)57%降(jiàng)至202我想说世间万物一切都不及你是什么歌,满天星辰不及你歌词2年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司(sī)中,江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng),至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示,江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势,公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

  有券商此前就分析(xī),如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽,催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù),薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单,设备国产化进程加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技(薄膜沉(chén)积)等(děng)相关(guān)公司份额提升(shēng),以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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