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　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法behaviour可数吗，behaviour是可数名词吗》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等behaviour可数吗，behaviour是可数名词吗国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司behaviour可数吗，behaviour是可数名词吗份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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