大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　cpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的g alt="半导体突发！中国出手：停止采(cǎi)购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据cpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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