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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重特殊韵母是什么意思，1个特殊韵母是什么(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络特殊韵母是什么意思，1个特殊韵母是什么安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能(néng)会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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