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布洛芬一天最多吃几次,布洛芬一天最大剂量是多少 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发消息。

  美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

  据网信(xìn)办消息,日(rì)前(qián),网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患,对我(wǒ)国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn),影响我国(guó)国家安全。为此,网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规,我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

  此次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查,目(mù)的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全,是维(wéi)护国家安全(quán)的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

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  3月(yuè)31日(rì),中国(guó)网信网(wǎng)发文称,为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全,防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险,维护(hù)国(guó)家安全,依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》,网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

  半(bàn)导体突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也是全球存(cún)储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng布洛芬一天最多吃几次,布洛芬一天最大剂量是多少)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng),江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降,至少已经不是主要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约(yuē),确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng),巩固公司在(zài)下游市场的供应优势,公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制,或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露,薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān),设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速,看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)(薄膜沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入(rù)增长(zhǎng)。

 

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