大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　黥刑是什么刑罚 黥刑是轻刑还是重刑　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(d黥刑是什么刑罚 黥刑是轻刑还是重刑e)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(黥刑是什么刑罚 黥刑是轻刑还是重刑guān)公(gōng)司(sī)份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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