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认真地还是认真的写作业,认真的与认真地

认真地还是认真的写作业,认真的与认真地 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一(yī)则突发(fā)消息。

  美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办消息(xī),日前,网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

  审查发(fā)现,美光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险,影响(xiǎng)我国国家安全。为此,网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī),我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá),目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全(quán),是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放,只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú),欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文(wén)称,为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn),维护国(guó)家安全(quán),依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》,网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

  美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降,至少已经不是主要大(dà)供应商。

  公(gōng)告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;认真地还是认真的写作业,认真的与认真地2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性,巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

  有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析(xī),如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到(dào)限制,或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì),国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析称(认真地还是认真的写作业,认真的与认真地chēng),长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo),催(cuī)生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计(jì)为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān),设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速,看(kàn)好拓荆科技(薄膜(mó)沉积(jī))等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升(shēng),以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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