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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销拇指到食指一扎是几厘米，一扎几厘米？(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶拇指到食指一扎是几厘米，一扎几厘米？圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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