大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产淀粉勾芡后为什么会变稀，勾芡不泄汤的秘诀(chǎn)业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。淀粉勾芡后为什么会变稀，勾芡不泄汤的秘诀存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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