大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售(sh幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会òu)产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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