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　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次bno护照是什么意思 bno护照是英国国籍吗对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计bno护照是什么意思 bno护照是英国国籍吗，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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