大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查钟南山为什么被说成钟百亿ong>

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等钟南山为什么被说成钟百亿法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金额钟南山为什么被说成钟百亿占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。