大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)四月的小说集，四月的小说好看吗络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)四月的小说集，四月的小说好看吗头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收(shōu四月的小说集，四月的小说好看吗)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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