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鱼目混珠这个故事,鱼目混珠的典故

鱼目混珠这个故事,鱼目混珠的典故 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险,影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ),网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规,我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

  此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查,目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安全(quán),是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放,只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出(chū)手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链安全,防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》,网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  美(měi)光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三鱼目混珠这个故事,鱼目混珠的典故星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM (内存(cún))市场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降,至少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告(gào)显(xiǎn)示, 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商,采(cǎi)购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

  有券(quàn)商此前就分析,如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制,或将导(dǎo)致下游(yóu)客户鱼目混珠这个故事,鱼目混珠的典故转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫鱼目混珠这个故事,鱼目混珠的典故存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo),催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù),薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单,设备国(guó)产化进程加速,看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄膜(mó)沉(chén)积)等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng),以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收(shōu)入增长。

 

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