大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 20213尺是多少厘米，3尺3是多少厘米年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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