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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网为什么懂手机的人都不用华为络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下(xià)游建为什么懂手机的人都不用华为立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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