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　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络(l总监和经理哪个大uò)安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022总监和经理哪个大年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场总监和经理哪个大咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过(guò)美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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