大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(q良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物uán)。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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