大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国一个立一个羽念什么字内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)一个立一个羽念什么字络安全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查一个立一个羽念什么字(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：太仓网站建设,太仓网络公司,太仓网站制作,太仓网页设计,网站推广-昆山云度信息科技有限公司 一个立一个羽念什么字