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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guān万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗g)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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