大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是华枝春满天心月圆什么意思可以发朋友圈吗，怀瑾握瑜,风禾尽起什么意思美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保(b华枝春满天心月圆什么意思可以发朋友圈吗，怀瑾握瑜,风禾尽起什么意思ǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 S华枝春满天心月圆什么意思可以发朋友圈吗，怀瑾握瑜,风禾尽起什么意思K海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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