大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(b50g是几两 50g是一两吗ù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìn50g是几两 50g是一两吗g)，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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