大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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