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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服(fú)务(wù)进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审(戊戌年是哪一年shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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