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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来苏州园区三中又叫什么是四星高中，苏州园区三中又叫什么名字自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受苏州园区三中又叫什么是四星高中，苏州园区三中又叫什么名字到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转苏州园区三中又叫什么是四星高中，苏州园区三中又叫什么名字变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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