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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)日本人知道我们恨他们吗，日本认为中国强大吗前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(c日本人知道我们恨他们吗，日本认为中国强大吗ún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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