大(dà)家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安亚洲48个国家的名字，亚洲包含哪几个国家组成全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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