大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约进退维谷的意思解释，进退维谷的意思和造句31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dà进退维谷的意思解释，进退维谷的意思和造句o) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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