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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(新冠密接人员需要隔离多少天最新政策，新冠密接人员要隔离多久xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yu新冠密接人员需要隔离多少天最新政策，新冠密接人员要隔离多久án)原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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